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MMBT3906DW中文资料

  • 大小:125.69KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated:23/03/2013 Rev:01 TOP DYNAMIC MMBT3906DW PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor for switching and amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25℃) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -V CBO 40 V Collector Emitter Voltage -V CEO 40 V Emitter Base Voltage -V EBO 5 V Collector Current -I C 200 mA Total Power Dissipation P tot 200 mW Junction Temperature T j 150 ℃ Storage Temperature Range T stg - 55 to +150 ℃ 1 2 3 6 54 TR2 TR1 1. Emitter 2. Base 3. Collector 4. Emitter 5. Base 6. Collector SOT-363 Plastic Package

MMBT3906DW供应商

更新时间:2023-01-08 03:43:48
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